Компанія Samsung Electronics оголосила про свою розробку мікросхеми пам’яті з високою пропускною здатністю (HBM) п’ятого покоління. Вона може обробляти дані зі швидкістю до 1280 ГБ за секунду
Про це повідомляє Yonhap.
Компанія заявила, що мікросхема має найвищу ємність у галузі – 36 ГБ. За словами Samsung, чип HBM3E 12H є на 50% кращим у продуктивності та ємності, аніж його попередник HBM3 8H. Зокрема, він здатен обробляти дані зі швидкістю до 1280 ГБ за секунду, що рівнозначно можливості заванта…
